CS-3379M

カテゴリ: 電子材料

  • RISHOLITE

    CS-3379M

    CS-3379M

    低伝送損失 PPE

    Dk=3.2@1GHz

    Df=0.0010@1GHz

特長

  • ミリ波帯においても誘電特性に優れます。
  • 伝送損失特性は、ミリ波帯においてもPTFE基板に匹敵します。
  • 低吸水です。
  • 難燃性はUL94V-0相当です。
  • コストパフォーマンスに優れます。

用途

  • 5Gアンテナ
  • ミリ波レーダ
  • サーバー、スイッチ

伝送損失

CS-3379M 伝送損失

PTFE材より低価格であるも同等の性能を有します

誘電特性の周波数依存性

比誘電率 Dk

CS-3379M 比誘電率 Dk

10ギガヘルツ、5G帯域である30ギガヘルツ、ミリ波レーダー帯域である80ギガヘルツにおいても、安定した性能を発揮します。

誘電正接 Df

CS-3379M 誘電正接 Df

10ギガヘルツ、5G帯域である30ギガヘルツ、ミリ波レーダー帯域である80ギガヘルツにおいても、安定した性能を発揮します。

一般特性

項目単位処理CS-3379M
比誘電率(Dk)10GHz20℃3.36
28GHz3.35
80GHz3.35
誘電正接(Df)10GHz20℃0.0018
28GHz0.0019
80GHz0.0024
絶縁抵抗常態C-96/20/653×108
処理後+D-2/1003×107
体積抵抗率常態MΩmC-96/20/658×108
処理後+C-96/40/906×107
表面抵抗常態C-96/20/653×109
処理後+C-96/40/906×108
曲げ強さタテMPa160
ヨコ160
曲げ弾性率タテGPa6
ヨコ6
ガラス転移温度DMA205
熱膨張率厚み30→260℃1.4
線膨張係数
(厚み)
α1ppm/℃30
α150
はんだ耐熱性
(フロート)
260℃300
OK
銅箔引き剥がし強さ
(HVLP)
18μm
(HVLP)
kN/m0.7
35μm0.9
熱伝導率W/mKレーザーフラッシュ0.6
比重1.83
吸水率E-24/50
+D-24/23
0.02
耐燃性(UL法)94V-0相当

※試験方法はJIS C 6481 に準じます(試料厚み0.72mm)(Dk/Df試験除く)。
※Dk/Dfの試験方法は平衡型円板共振器法
※A-受理状態、C-恒温恒温処理、D-浸水処理、E-加熱処理 数字は時間/温度/湿度をそれぞれ示します。

標準仕様

公称厚さ0.12 / 0.24 / 0.36 / 0.48 / 0.60 / 0.72 / 0.84
銅箔(μm)12 / 18 / 35 (HVLP)