CS-3379M カテゴリ: 電子材料 RISHOLITECS-3379M低伝送損失 PPEDk=3.2@1GHzDf=0.0010@1GHz特長ミリ波帯においても誘電特性に優れます。伝送損失特性は、ミリ波帯においてもPTFE基板に匹敵します。低吸水です。難燃性はUL94V-0相当です。コストパフォーマンスに優れます。用途5Gアンテナミリ波レーダサーバー、スイッチ伝送損失PTFE材より低価格であるも同等の性能を有します誘電特性の周波数依存性比誘電率 Dk10ギガヘルツ、5G帯域である30ギガヘルツ、ミリ波レーダー帯域である80ギガヘルツにおいても、安定した性能を発揮します。誘電正接 Df10ギガヘルツ、5G帯域である30ギガヘルツ、ミリ波レーダー帯域である80ギガヘルツにおいても、安定した性能を発揮します。一般特性項目単位処理CS-3379M比誘電率(Dk)10GHz—20℃3.3628GHz3.3580GHz3.35誘電正接(Df)10GHz—20℃0.001828GHz0.001980GHz0.0024絶縁抵抗常態MΩC-96/20/653×108処理後+D-2/1003×107体積抵抗率常態MΩmC-96/20/658×108処理後+C-96/40/906×107表面抵抗常態MΩC-96/20/653×109処理後+C-96/40/906×108曲げ強さタテMPaA160ヨコ160曲げ弾性率タテGPaA6ヨコ6ガラス転移温度℃DMA205熱膨張率厚み%30→260℃1.4線膨張係数(厚み)α1ppm/℃A30α2150はんだ耐熱性(フロート)260℃秒A300OK銅箔引き剥がし強さ(HVLP)18μm(HVLP)kN/mA0.735μm0.9熱伝導率W/mKレーザーフラッシュ0.6比重—A1.83吸水率%E-24/50+D-24/230.02耐燃性(UL法)−A94V-0相当※試験方法はJIS C 6481 に準じます(試料厚み0.72mm)(Dk/Df試験除く)。※Dk/Dfの試験方法は平衡型円板共振器法※A-受理状態、C-恒温恒温処理、D-浸水処理、E-加熱処理 数字は時間/温度/湿度をそれぞれ示します。標準仕様公称厚さ0.12 / 0.24 / 0.36 / 0.48 / 0.60 / 0.72 / 0.84銅箔(μm)12 / 18 / 35 (HVLP)